1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件及其制备方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.77万字
  • 约 16页
  • 2023-05-10 发布于四川
  • 举报

半导体器件及其制备方法.pdf

    本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底；半导体层，位于衬底上；源极、漏极和栅极，位于半导体层远离衬底的一侧，栅极位于源极和漏极之间，且与源极和漏极均具有间距；其中，栅极包括栅脚和与栅脚连接的栅板，栅板包括位于源极和栅脚之间的第一部分，以及位于栅脚和漏极之间的第二部分，第二部分的长度小于第一部分的长度。上述半导体器件能够兼顾满足高频率应用要求并降低栅极结构带来的寄生电容。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520260 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011305351.5 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人 苏州能讯高能半导体有限公司 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >