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AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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AlGaN/GaN HEMT器件小信号模型提取方法.pdf

    本发明公开了一种AlGaN/GaNHEMT器件小信号模型提取方法，涉及射频功率器件领域，通过对器件的三个电极施加相应的直流偏置，分别测出与不同的寄生参数相关的S参数，然后根据这些测得的S参数，基于二端口网络的原理，转换为与寄生电容相关的Y参数矩阵、与寄生电阻和寄生电感相关的Z参数矩阵，之后再将寄生参数去嵌，求得本征参数，本发明的方法针对寄生参数去嵌过程因结构导致的近似误差，提出了在所有测试频率下，逐个求取去嵌前后的S参数相对误差，并对所有频率的误差进行平均化，在保证了参数提取速度的同时，保证了

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114519275 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210160133.X (22)申请日 2022.02.22 (71)申请人 西安电子科技大学芜湖研究院 地址

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