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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：形成横跨第一鳍部的第一栅极及横跨第二鳍部的第二栅极；刻蚀第一栅极两侧的第一鳍部形成第一凹槽，刻蚀第二栅极两侧的第二鳍部形成第二凹槽，第一凹槽宽度小于第二凹槽宽度；形成覆盖第一栅极侧壁、第一凹槽侧壁、第二栅极侧壁、第二凹槽侧壁的牺牲层，牺牲层还覆盖第一区域衬底上的衬垫氧化层，牺牲层露出位于第二凹槽底部的第二鳍部侧壁上的衬垫氧化层；刻蚀牺牲层露出的衬垫氧化层，露出位于第二凹槽底部的第二鳍部侧壁；去除牺牲层；在同一工艺步骤中，采用外延生长工艺在第一凹槽内形成第一源漏掺杂

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520148 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011311638.9 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人 中芯国际集成电路制

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