具有多个独立栅极的半导体器件.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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具有多个独立栅极的半导体器件.pdf

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具有多个独立栅极的半导体器件。一种栅极控制的半导体器件，包括：半导体器件的第一多个单元，所述第一多个单元被配置为由主栅极来控制；以及半导体器件的第二多个单元，所述第二多个单元被配置为由辅助栅极来控制。主栅极与辅助栅极是电隔离的，并且半导体器件的源极和漏极并联电耦接。第一多个单元和第二多个单元在结构上可以基本相同。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114556590 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202080072987.1 (51)Int.Cl.