MIM电容的导线通孔形成方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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MIM电容的导线通孔形成方法.pdf

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本发明提供了一种MIM电容的导线通孔形成方法，包括交替形成金属线层和绝缘层，所述绝缘层的数量与所述金属线层的数量相同，且数量至少为2，刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，且一层所述金属线层对应至少一个所述通孔，在所述通孔内形成隔离介质层，刻蚀所述隔离介质层，以暴露所述通孔对应的金属线层，在所述通孔内形成金属导电层，以形成MIM电容，一次性形成所有通孔，无需进行多次光刻，减少了光刻次数，从而降低了工艺复杂度和成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551346 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210170772.4 (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人苏州聚谦半导体有限公司地址 21