碳化硅晶体生长装置.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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碳化硅晶体生长装置.pdf

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本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：转盘组件，转盘组件包括外转盘和内转盘，内转盘设于外转盘且适于相对外转盘运动，至少一个籽晶设于内转盘；加热机构，加热机构包括多个热处理单元，多个所述热处理单元沿转盘组件的周向方向间隔排布，且多个热处理单元均设于外转盘，其中，内转盘适于带动籽晶在多个热处理单元之间移动，以依次通过多个热处理单元对籽晶进行处理。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，通过将加热机构分成多个热处理单元，内转盘可以带动籽晶在多个热处理单元之间移动，籽晶可以在不同的热处理单元处进行不同的热处

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114574968 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202210135861.5 C30B 35/00 (2006.01) (22)申请日 2022.02