1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法.pdfVIP

  • 22
  • 0
  • 约1.73万字
  • 约 11页
  • 2023-05-11 发布于北京
  • 举报

一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法.pdf

    本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相烧结制备硅掺杂氧化镓或硅掺杂铟镓氧化物的多晶靶材；(3)在氧气条件下，利用脉冲激光沉积法在氧化铝衬底上生长(SixGa1‑x)2O3或(SixInyGa1‑x‑y)2O3薄膜，其中0.0001≤x≤0.05，0.01≤y≤0.2。本发明所制得的薄膜具有良好的导

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582710 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210157616.4 C23C 14/28 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >