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本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114561693 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202210136243.2
(22)申请日 2022.02.14
(71)申请人 江苏集芯半导体硅材料研究院有限
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