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- 2023-05-11 发布于四川
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一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中，CMOS图像传感器的形成方法包括：形成衬底、位于衬底上的若干感光掺杂层、位于所述感光掺杂层上的隔离层以及位于隔离层上的有源层，所述衬底包括若干相互分立的像素区，各所述感光掺杂层分别位于各所述像素区上；在所述有源层内和有源层上形成电学器件；在所述隔离层以及有源层内形成互连结构，所述互连结构使所述感光掺杂层和所述电学器件电连接。所述CMOS图像传感器的形成方法同时增大了感光区和读取电路区的工作面积，从而提升了器件性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582903 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210192661.3
(22)申请日 2022.02.28
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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