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本发明公开了一种用于磷化铟晶体生产工艺中温场控制装置及方法,包括反应炉体、温场控制组件以及冷热交换组件,所述反应炉体底部设置有旋转机构,所述旋转机构上配合连接有埚杆,所述埚杆的顶部固定连接坩埚,所述旋转机构能够带动所述坩埚旋转,所述坩埚的埚口处设置有导流盖,所述导流盖上端设置有籽晶杆,所述籽晶杆的底端贯穿所述导流盖与所述坩埚相连通,通过温场控制流道将反应炉体形成不同梯度的温场,通过温场间隔环将反应炉体分隔成高温熔融区与低温结晶区,高温熔融区用于熔解原料,低温结晶区用于晶体提拉生长,并且温场的温度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114561691 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202210094550.9
(22)申请日 2022.01.26
(71)申请人 苏州中砥半导体材料有限公司
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