一种GaN基的激光二极管结构及制造方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种GaN基的激光二极管结构及制造方法.pdf

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本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；钝化层包括层叠设置的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层上开设有凹槽，在第二钝化层上表面和脊条上设有第一金属层，第一金属层具有与凹槽相对应的凸起部，在第一金属层上表面还设有P电极。其降低了电极结构的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114552371 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210167551.1 (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人安徽格恩半导体有限公司地址 23