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本发明公开了一种多色MicroLED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成MicroLED发光单元;S2将第一种颜色的MicroLED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现MicroLED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111769103 A
(43)申请公布日 2020.10.13
(21)申请号 202010601783.4
(22)申请日 2020.06.29
(71)申请人 南昌
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