一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器是在上下层电极之间设有掺氮缺陷层和功能层，所述掺氮缺陷层成分为MOxNy，其中M选自下列过渡金属元素中的一种或多种：Ta，Hf，Zn，Ni，Ti，W；1≤x≤2.5，0.01≤y≤0.5。本发明采用氧含量比例较高同时轻微掺杂氮的掺氮缺陷层，通过调整功能层材料厚度及合理控制其成分可以实现不同阻值和操作电压，最终实现了具有低操作电压的忆阻器件。本发明忆阻器的低操作电压特性和制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，对于存内计算硬件的最终实

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096223 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310379304.2 (22)申请日 2023.04.11 (71)申请人北京大学地址 100871