一种压接型功率半导体器件应力场重构方法及系统.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种压接型功率半导体器件应力场重构方法及系统.pdf

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本发明属于半导体测量技术领域，提供了一种压接型功率半导体器件应力场重构方法及系统，方法包括：构建应力场分布计算模型；获得压接型功率半导体器件内部各子模组的接触参数测量平均值；获得压接型功率半导体器件内部各子模组的接触参数计算平均值；当压接型功率半导体器件内部各子模组的接触参数计算平均值和接触参数测量平均值不满足预设约束条件时，利用预设寻优算法对预设高度值的数值进行调整，直至满足预设约束条件，并获得对应的预设高度值。本发明可以实现压接型功率半导体器件的实际应力场分布的精确建模，以考虑器件组件的高度

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116090261 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310365938.2 G06F 119/14 (2020.01) (22)申请日 2023.04