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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明涉及基本电气元件领域,具体涉及一种超宽禁带非晶MgGaO真空紫外光伏探测器,包括衬底、MgGa2O4薄膜层、低功函电极层和高功函电极层,所述MgGa2O4薄膜层附着在衬底上部,所述低功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部、所述高功函电极层附着在所述MgGa2O4薄膜层的上部,且位于所述低功函电极层的一侧。本发明的衬底可选择性大,MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力,易于实现大面积、低成本、批量生产。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582994 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210208272.5
(22)申请日 2022.03.04
(71)申请人 仲恺农
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