准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器.pdf

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本发明提供一种准连续域束缚态电注入激光器结构及半导体激光器，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，准连续域束缚态电注入激光器结构包括：N面金属电极层和依次叠设于N面金属电极层表面的N型包层、有源层、P型包层、脊波导层及P面金属电极层；其中，在靠近激光器输出前端面的脊波导层的表面刻蚀有窄狭槽光栅，窄狭槽光栅的刻蚀深度不超过脊波导层的厚度；窄狭槽光栅用于基于干涉相消构造沿横向的准连续域束缚态来抑制光的横向辐射损耗。该准连续域束缚态电注入激光器结构能够提高光的输出功率，实现低阈值单模大功率输出，并且简化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093741 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310375494.0 (22)申请日 2023.04.10 (71)申请人中国科学院半导体研究所地址 1