半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底,具有第一区域和第二区域;器件层,形成在第一区域上;以及虚拟结构,形成在第二区域上,其中虚拟结构包括相互嵌套的第一螺旋形虚拟层和第二螺旋形虚拟层。以此方式,形成在半导体器件上的虚拟结构不但可以用来使芯片版图密度均匀化,而且还可以用作存储电容器。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582832 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210207403.8 (22)申请日 2022.03.04 (71)申请人 东芯半导体股份有限公司 地址 20

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