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本发明属于半导体领域，具体涉及一种偏压辅助半导体薄膜、制备方法及其应用。所述制备方法首先将设备背景抽真空，然后向腔室内通入氩气和氧气并转动闸板阀调节工作压强，随后先预溅射以确保功率稳定、正常起辉，最后设置Ga2O3靶材的射频功率和Al靶材的直流功率，待达到溅射时间后依次关闭设备。所述偏压辅助半导体薄膜的制备方法，通过在溅射过程中施加偏压来达到调整铝含量的目的；另外经检测可知，当施加偏压时能改善薄膜的结晶质量，同时薄膜中不含有任何其他杂质，并且薄膜密集地填充着大小均匀的等轴颗粒以及表面没有观察到明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116083869 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310361346.3
(22)申请日 2023.04.07
(71)申请人 北京石油化工学院
地址 1026
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