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- 2023-05-11 发布于北京
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本发明公开了一种卷轴状超薄核冠纳米片的制备方法，所述卷轴状核冠纳米片是先合成卷轴状CdSe核纳米片，然后该纳米片核无需提纯处理，直接在其周围外延生长卷轴状CdS冠层，避免提纯过程对核纳米片光学性能的降低。本发明揭示了一种卷轴状核冠纳米片的制备方法，可以有效解决超薄卷轴状核纳米片表面较多的缺陷态引起的光学性能差的问题，而且冠层生长也有利于提高纳米片核的发光性能稳定性，该制备方法简单、易操作，适合于大批量制备，从而能够促进二维超薄纳米片材料在光电器件领域的实际应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114573017 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210157317.0
(22)申请日 2022.02.21
(71)申请人 南通大学
地址 226000 江
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