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一种环绕栅极晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种环绕栅极晶体管及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种环绕栅极晶体管及其制备方法。一种环绕栅极晶体管的制备方法采用如下方法形成栅介质：先形成第一高k介质层，然后去除部分区域的第一高k介质层；再形成第二高k介质层；其中，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层具有不同的电负性或者不同的原子半径。本发明利用不同区域上两个高k介质层的不同结构来形成不同器件阈值，为器件的多阈值集成提供了更好的选择性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582805 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210169094.X (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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