一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法.pdf

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本发明公开了用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法，通过将耗尽型GaNHEMT器件通过机械减薄得到芯片的晶圆，并将晶圆切割至预设尺寸，将胶带贴在晶圆的背面且用铁圈固定起来，采用晶片切割机将晶圆片切成一颗颗芯片，将切割后的芯片放置在导线架或基板中的晶片座上，并以银浆或金‑硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入压焊机物料轨道，先用铝线后用铜线进行压焊得到待封装器件，将待封装器件的栅极和启动管的源极分别使用金属加厚并进行键合形成用于耗尽型GaNHEMT器件的堆叠封装结构，通过在芯片上堆叠封装S

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551249 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210141635.8 H01L 29/778 (2006.01)