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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件中的有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区；源极掺杂区与源极之间设置有第一金属氧化物层，漏极掺杂区与漏极之间设置有第二金属氧化物层，源极通过第一金属氧化物层与源极掺杂区电性连接，漏极通过第二金属氧化物层与漏极掺杂区电性连接；由于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层与有源层中的金属氧化物层接触较好，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以作为源极、漏极与有源层之间的过渡层，可以有效改善二者欧姆接触问题，从而
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582980 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210178801.1
(22)申请日 2022.02.25
(71)申请人 广州华星光电半导体
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