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2023-05-12 发布于四川
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光刻曝光方法.pdf

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本发明提供一种光刻曝光方法，包括：1)在衬底上形成光刻胶层；2)采用投影式曝光机台对光刻胶层进行光刻处理，形成对位图形；3)将衬底移至接触式曝光机台，并基于对位图形，使接触式曝光机台上的光掩模与衬底进行对位，保存此时光掩模的坐标与衬底上的对位图形的坐标；4)将接触式曝光机台切换至不对位模式，通过上述的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变，通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变，依次将需要曝光的晶圆放入衬底卡盘中进行曝光处理。本发明可以有效解决接触式曝光机台前层曝光存

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114624968 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202011445044.7 (22)申请日 2020.12.08 (71)申请人上海新微技术研发中心有限公司地址