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本公开提供了一种字线结构及形成方法、半导体结构，涉及存储器技术领域。该字线结构形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底，在所述衬底上形成多个间隔排布的字线沟槽和有源区柱；在所述有源区柱上形成绝缘层，并在相邻的所述绝缘层之间填充第一隔离层；处理所述绝缘层，在处理后的所述绝缘层上形成环形栅极；回刻蚀所述第一隔离层，使所述第一隔离层的顶部低于所述环形栅极的底部；在所述环形栅极的顶部沉积第二隔离层，所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成气隙结构。通过该字线结构形成方法形成的字线结构中的环形栅极之间会形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096069 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202111273068.3
(22)申请日 2021.10.29
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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