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本发明提供一种单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、旋转基座、驱动装置、内衬管及基座环；炉体底部设置有底座，坩埚位于炉体内，旋转基座与坩埚的底部相连接，并向下穿过底座直至延伸到炉体外部，内衬管位于旋转基座与底座之间且套设于旋转基座的外围；驱动装置与旋转基座相连接，用于驱动旋转基座旋转；基座环位于炉体内，且套设于旋转基座的周向，基座环自内衬管的表面向外延伸到底座上，且基座环与内衬管为可拆卸连接。本发明可以避免坩埚内的多晶硅料溢出和加热器上的片状物掉落至间隙内造成旋转基座的磨损以及因内衬管的堵塞造
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114606564 A
(43)申请公布日 2022.06.10
(21)申请号 202011408811.7
(22)申请日 2020.12.04
(71)申请人 上海新昇半导体科技有限公司
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