一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其工艺方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其工艺方法.pdf

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本发明涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件，在N型外延层内设有纵向沟槽，所述纵向沟槽将MOSFET器件表面分割成多个元胞区域，每个所述元胞区域内的所述N型外延层上设有P型体区，所述P型体区在所述N型外延层的注入深度大于所述纵向沟槽的深度，每个所述元胞区域内除P型体区和纵向沟槽外其他区域均设有JFET区域，在所述P型体区中还设有重掺杂的N型源极，所述N型源极和纵向沟槽相接，所述P型体区表面除重掺杂的N型源极外其他区域均设有重掺杂的P型源极。本发明结构对MOSFET器件的栅氧化层提供较为全面的保护，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114597257 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202210478523.1 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2022.0