一种半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成图案化的多晶硅，并在所述多晶硅的侧壁上形成间隔层；在所述半导体衬底的表面覆盖保护层，且所述保护层暴露出所述多晶硅和所述间隔层的顶部并将预定高度的间隔层掩埋在内；刻蚀去除暴露出的所述间隔层，剩余的所述间隔层为所述多晶硅侧壁上所需的间隔层。通过在间隔层正常刻蚀成形后，在半导体衬底上形成一定厚度的保护层，再通过刻蚀降低间隔层的高度，由于间隔层的根部被保护层覆盖保护，在等向性刻蚀进程中，避免了常规的等向性刻蚀带来的间隔层厚度减小的副作

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613672 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210525962.3 (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司地址