一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法.pdf

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本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：(1)准备温度控片；(2)反应腔升温并进行HCL清洁；(3)冷却至室温，装入温度控片；(4)以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤；(5)取出温度控片进行化学处理；(6)对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；(7)清洗待外延的硅片并重复步(2)的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613699 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210231487.9 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人南京国盛电子有限公司地址 211