半导体装置与制作半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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半导体装置与制作半导体装置的方法.pdf

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一种半导体装置与制作半导体装置的方法，半导体装置包含第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构、第三漏极/源极结构、第一位元线、共同选择线、第二位元线与电荷储存层。第一漏极/源极结构往第一方向延伸。第二漏极/源极结构往第一方向延伸，并在垂直于第一方向的第二方向与第一漏极/源极结构间隔开。第三漏极/源极结构往第一方向延伸，并在第二方向与第二漏极/源极结构间隔开。电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628402 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202110652160.4 (22)申请日 2021.06.10 (30)优先权数据