垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093227 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202111316647.1 H01L 33/02 (2010.01)