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本申请涉及半导体晶片层叠物及其制造方法以及半导体模块。一种半导体晶片层叠物包括基底晶片以及层叠在基底晶片上方的芯晶片。基底晶片和芯晶片中的每一个包括：半导体基板；前侧钝化层，其形成于半导体基板的前侧上方；背侧钝化层，其位于半导体基板的背侧上方；通孔，其垂直贯穿半导体基板和前侧钝化层；以及凸块、支撑图案和接合绝缘层，其形成于前侧钝化层上方。凸块、支撑图案和接合绝缘层的顶表面是共面的。凸块与通孔垂直对齐。支撑图案与通孔和凸块间隔开。支撑图案包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个第一条和在第二方向上彼此
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093087 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202210533451.6 H01L 21/98 (2006.01)
(22)申请日 2022.05.
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