一种TOPCon电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种TOPCon电池及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种TOPCon电池及其制备方法；该TOPCon电池，包括：Si基体；复合在所述Si基体上的隧穿氧化层；复合在所述隧穿氧化层上的第一晶硅层；复合在所述第一晶硅层上的磷扩散阻挡层；复合在所述磷扩散阻挡层上的第二晶硅层；复合在所述第二晶硅层上的H阻挡层；复合在所述H阻挡层上的氮硅层。与现有技术相比，本发明提供的TOPCon电池引入磷扩散阻挡层和H阻挡层，其中设置磷扩散阻挡层，实现磷重掺并阻止过多磷扩散进隧穿氧化层破坏隧穿效果，设置H阻挡层，在后续的热过程中阻止H外溢，强化H钝化效果，并且

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114597267 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202210489736.4 H01L 31/068 (2012.01)