一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管.pdf

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本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种完全消除衬底辅助耗尽效应的半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底的上方为超结，P型衬底的右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N重掺杂区，漏N重掺杂区使漏电极与N型缓冲层和包含超结P柱和超结N柱的超结形成欧姆接触，P型衬底的左上方为P型重掺杂区，P型重掺杂区右侧形成P阱，在P阱中形成源N型重掺杂区，源电极、栅电极和漏电极分布在整个器件的上表面。本发明通过使衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除衬底辅助耗尽效应的不利影响，提升器件的导通特性，提高器件击

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613858 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210290824.1 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人西安电子科技大学地址 71007