一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室.pdf

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本发明涉及一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中晶圆表面薄膜厚度测量需要单独的步骤，工艺步骤浪费，生产效率低；可能造成颗粒的再次飘落和附着；设备空间占用大，设备制造成本攀升的问题。本发明的CMP过程后晶圆厚度测量装置，包括晶圆厚度测量设备；晶圆厚度测量设备设置在清洗腔室内，且位于清洗剂池上方的干燥气体喷射口的上方；晶圆厚度测量设备用于在晶圆清洗完成后的上升过程中对晶圆厚度进行测量。实现了在马兰戈尼干燥的同时对CMP效果进行测量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628265 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202011451164.8 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10