GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件.pdf

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本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628983 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202011471890.6 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人南京大学地址 210093 江苏