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本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制喷淋组件调控反应气体在真空反应腔体内的分布；喷淋组件中，若干调气孔分散设于喷淋壳体面向反应台的一侧；调节组件包括安装板、阵列驱动电路和若干气体微控器件；安装板设有若干安装孔，气体微控器件设于安装孔处，气体微控器件能够被阵列驱动电路分别控制，调控安装孔的出气面积
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115341274 A
(43)申请公布日 2022.11.15
(21)申请号 202211271142.2
(22)申请日 2022.10.18
(71)申请人 苏州立琻半导体有限
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