可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法.pdf

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本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaNHEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaNHEMT结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114582962 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202210462372.0 (51)Int.Cl.