一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法.pdf

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本发明公开了一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法，该柔性铁电负电容场效应晶体管自下而上包括：衬底、缓冲层、底电极、栅极介质层一、栅极铁电层、栅极介质层二，半导体沟道层；所述半导体沟道层的上层依次设有源极电极和漏极电极；并主要通过脉冲激光沉积工艺及利用离子溅射工艺，制备柔性铁电负电容场效应晶体管。本发明制备的柔性铁电负电容场效应晶体管亚阈值摆幅低至19.4mV/dec，且具有优秀的机械弯曲特性，能承受4mm弯折半径和反复500次的弯折，并在室温至180℃的宽温域内实现远低于60mV/dec的亚

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597263 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202210292952.X (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人湘潭大学