半导体激光芯片外延器件及激光器.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.45万字
约 18页
2023-05-12 发布于北京
举报
版权申诉

半导体激光芯片外延器件及激光器.pdf

1、本文档共18页，其中可免费阅读17页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及半导体激光技术领域，特别是涉及半导体激光芯片外延器件及激光器。其中所述半导体激光芯片外延器件，包括：中间层；分别位于所述中间层的相背两侧且与所述中间层堆叠排列的第一包层和第二包层；其中，所述中间层，包括量子阱层；所述第二包层，包括沿所述第一包层、所述中间层和所述第二包层的堆叠方向依次设置的第一子包层、第二子包层和第三子包层；所述第一子包层的折射率小于所述第三子包层的折射率，且均属于折射率呈连续变化或阶梯变化的所述第二子包层的折射率区间。基于此，本发明能够有效降低生长工艺带来的材料组分偏

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114614341 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210055099.X (22)申请日 2022.01.18 (71)申请人深圳瑞波光电子有限公司地址 51