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一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-12 发布于四川
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一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法.pdf

    本发明公开了一种二维氧化镓铁电栅增强型场效应晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了增强型的Ga2O3器件难以制作实现的问题。晶体管包括逐层连接的衬底层、沟道层和电极层。沟道采用机械剥离法或外延法制作Ga2O3薄膜得到，相比于其他制备方法简单易操作，在此基础上，衬底能够在大范围内选择具备良好兼容性的材料，基于电荷存储栅的结构对沟道电导的影响极小，二维铁电栅作为电荷存储栅，利用其面内、面外自发的极化效应收集沟道载流子并耗尽沟道，实现增强型的Ga2O3器件。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053314 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310034181.9 H01L 29/24 (2006.01)

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