一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管.pdf

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本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，P型衬底正上方为隔离氧化层，隔离氧化层上方为超结层，超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。本发明使用虚拟衬底，有效地将衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除了衬底辅助耗尽效应，使器件比导通电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613857 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210289763.7 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人西安电子科技大学地址 71007