一种分段吸收式光电探测器.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种分段吸收式光电探测器.pdf

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本发明公开了一种分段吸收式光电探测器，包括硅基底，所述硅基底上设置有二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层内嵌有p型硅掺杂区，所述p型硅掺杂区分有重掺杂p型硅以及轻掺杂p型硅，所述重掺杂p型硅直接连接至金属电极，所述轻掺杂p型硅与金属电极之间还设置有重掺杂n型锗，所述金属电极阵列分布于所述二氧化硅保护层上方并嵌入其内与重掺杂p型硅或重掺杂n型锗相连接。本发明不同于现有技术中在硅基底上直接设置整片的吸收区，二是将锗吸收区分段生长在硅波导上，在相应的锗吸收区制备电极，外部将不同部分锗吸收区的电极相连，从

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053340 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310075082.5 (22)申请日 2023.01.31 (71)申请人三明学院地址 365000