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本发明提供了一种半导体器件、半导体器件的制造方法及存储器；该半导体器件包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的若干层绝缘层和若干层导电层；至少部分所述绝缘层中设置有气隙；垂直于所述半导体衬底设置的沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的隔离沟槽，所述隔离沟槽垂直于所述半导体衬底。本发明在半导体器件中引入气隙，从而降低字线与字线之间的电容耦合，提升半导体器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093128 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202111294821.7
(22)申请日 2021.11.03
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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