基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法.pdf

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本发明公开了电器绝缘技术领域的一种基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法，包括在GIS外壳的内表面喷涂半导电涂覆液并进行烘干固化，形成能够抑制GIS外壳内自由金属微粒的半导电涂覆层。本发明一方面可避免GIS内表面没有绝缘层时自由金属微粒与GIS外壳的内表面裸金属直接接触发生传导带电，导致自由金属微粒带电在电场力作用下起跳，另一方面避免采用GIS表面覆绝缘材料时自由金属微粒与绝缘层以及SF6气体接触位置的三结合点位置发生局部放电，继而导致GIS电极间隙空间电场畸变，降低GIS的绝缘性能；有

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114656859 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210299045.8 (51)Int.Cl.