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一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法.pdf

    本申请涉及半导体气敏器件技术领域，具体提供了一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，制备ZnO纳米片；S2，制备基于ZnO半导体的气敏器件；S3，利用氢等离子体进行增敏处理。本发明提供一种无需贵金属掺杂的基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，有效降低制备成本；同时使用氢等离子体技术在ZnO半导体表面产生氧空位，从而提升气敏器件的灵敏度，灵敏度能够提高到原来的5倍以上，因此，本发明方法制备的气敏器件的灵敏度较高。另外，本发明方法制备的气敏器件还具有检测范

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114646670 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210270430.X (22)申请日 2022.03.18 (71)申请人 电子科技大学中山学院 地址 528

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