具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法.pdf

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本公开涉及具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法。一种半导体制品，包括半导体衬底、半导体衬底上的后段制程(BEOL)布线部分、穿硅过孔和保护环。半导体衬底由半导体材料制成。BEOL布线部分包括具有导电布线的多个布线层、和电绝缘材料。穿硅过孔提供穿过BEOL布线部分和半导体衬底的导电路径。保护环围绕BEOL布线部分中的穿硅过孔，并且在一些实施例中围绕半导体衬底中的穿硅过孔。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649258 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210125781.1 (22)申请日 2022.02.10 (30)优先权数据 63/148,079 2021