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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高标记的使用稳定性，进而提高半导体结构的良率水平。所述半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成第一堆叠结构；在标记区形成标记，标记贯穿第一堆叠结构；在第一堆叠结构远离衬底的一侧依次形成保护层和第一掩膜层；基于第一掩膜层刻蚀第二子层，使第二子层的厚度小于第一子层的厚度；去除第一掩膜层；刻蚀第一子层、第二子层及第二子层下方的第一堆叠结构，以暴露出标记的远离衬底的端部，且使第一堆叠结构中位于阵列区的部分仍被第一子层覆盖。上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664839 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202210208776.7 H01L 23/544 (2006.01)
(22)申请日 2022.03
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