低硅高纯锗材料的制备方法.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.13万字
约 10页
2023-05-13 发布于四川
举报
版权申诉

低硅高纯锗材料的制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开一种低硅高纯锗材料的制备方法，其包括步骤：步骤一，锗料腐蚀：电子级多晶锗置于混合酸溶液中腐蚀至表面光亮；步骤二，石墨舟镀膜；步骤三，区熔：将步骤一中的锗料装入镀膜石墨舟内，将镀膜石墨舟装入区熔炉，进行区熔一和区熔二；步骤四，提拉：两次区熔后产品出炉，头部和尾部电阻率小于55Ω·cm的为不合格品，其他产品为单晶提拉原料，按照步骤一中的腐蚀方法腐蚀提拉原料和籽晶，在高纯氢气气氛下进行单晶提拉，提拉完成后切去单晶棒头部和尾部，得到净杂质浓度为1011‑1012cm‑3级别的低硅高纯锗材料。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114635187 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210478064.7 (22)申请日 2022.04.24 (71)申请人安徽光智科技有限公司地址 239