一种InTeI单晶体的制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种InTeI单晶体的制备方法.pdf

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本发明涉及一种InTeI单晶体的制备方法。所述制备方法包括：以单质In、Te和I2为原料，混合后置于石英管中，对石英管抽真空后密封；将密封的石英管放入马弗炉中，先升温至475℃以上保温10‑30小时，降温至192±5℃并在该温度下原位退火20‑80小时；以及将经退火处理的石英管放置在双温区管式炉保温7‑14天，冷却得到InTeI单晶体；其中，双温区管式炉的温度范围为350‑500℃。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114645326 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011509550.8 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人中国科学院上海硅酸盐研究所地址