半导体装置和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdf

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提供了一种半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；穿透所述栅极结构的沟道结构，所述沟道结构沿第一方向布置；以及切割结构，其在所述第一方向上延伸，所述切割结构连续地穿透所述沟道结构。所述沟道结构中的每一个包括通过所述切割结构彼此隔离的第一沟道结构和第二沟道结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116056456 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202210695297.2 H10B 63/00 (2023.01)